日本积极开发新工艺应对铟资源枯竭:亚博APP手机版

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亚博APP手机版:“ITO(氧化铟锡)半透明电极面临资源枯竭的问题。日本技术人员必须推进不用于铟的材料的研发。”大阪大学高级科技创新中心材料与生产系教授佐藤认识到了自20世纪90年代后半期以来在平板显示器(FPD)领域消耗迅速下降的ITO半透明电极所面临的问题,并明确提出了二氧化锡(SnO2)作为替代材料。

亚博APP官方网站后台佐藤在2006年国际FPDInternational高级研讨会第五期“简化高画质低成本、大尺寸FPD零件材料和生产工艺创新技术的关键”中思考了这个问题。佐藤首先谈到了铟的供应。目前,日本的铟消费量已占全球需求的60%,中国是全球供应中心。

铟的价格在过去三年里上涨了四倍。虽然日本的铟回收率超过70%,但仍有27%被浪费,其中不到3%需要作为电路使用。从铟资源储量来看,如果照现在这样使用的话,2011年铟资源会枯竭,甚至从整个储量来看,2013年也会枯竭。如果回收率进一步提高,2015年左右就会耗尽,即使再有希望,耗尽时间也会缩短太多。

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佐藤分析说,假设铟消耗的一半用于替代材料,纯铟将在2018年左右耗尽,即使整个储量晚于2025年。佐藤开发的二氧化锡与铟用的氧化铟相比,不仅锡资源丰富,而且具有热稳定性和化学稳定性的特点。问题是电阻比ITO低,热处理后电阻不会进一步增加。Sato成功开发了一种基于电子束等离子体蒸发的成膜方法,即使在室温下显影二氧化锡薄膜并在600左右进行高温热处理后,电阻率仍可控制在10-4m。

通过改善膜的结晶特性,提高了载流子的迁移率。此外,通过形成二氧化锡和二氧化硅双层,构建了6.610-5m的低电阻。此外,佐藤还明确提出了YAG激光必须的图案形成方法,这是一种只能够形成图案而不使用对环境影响很小的光刻技术。【亚博APP手机版】。

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